Европа вложится в развитие сетей связи четвертого поколения

Евросоюз в 2010 году вложит 18 миллионов евро в разработку технологии связи четвертого поколения Long Term Evolution, позволяющей обмениваться данными в несколько сотен раз быстрее, чем в нынешних сетях третьего поколения. Об этом говорится в официальном пресс-релизе, размещенном на портале Europa.eu.

Европейцы финансируют разработку и внедрение LTE с 2004 года. Они надеются, что LTE станет таким же распространенным стандартом, как и GSM, разработанный 25 лет назад. Сейчас GSM поддерживают 80 процентов сотовых операторов.

Обычная LTE обеспечивает обмен данными на скоростях до 100 мегабит в секунду. В первой половине 2010 года в Швеции и Норвегии появятся коммерческие сети LTE. Евросоюз вкладывается в новую версию LTE, LTE Advanced. Максимальная скорость обмена данными в таких сетях составит гигабит в секунду.

В настоящее время существуют две основные технологии связи четвертого поколения - WiMAX и LTE. К сетям первой имеют доступ 400 миллионов человек, а последняя только разрабатывается. Тем не менее, крупнейший в мире производитель сотовых телефонов, финская компания Nokia, уже заявила о бесперспективности WiMAX. Она поддержит LTE и в 2010 году начнет выпускать телефоны для работы в этих сотовых сетях.

В апреле 2009 года сеть LTE показала Motorola на выставке CTIA Wireless. В мае шведский оператор Telia продемонстрировал первый в мире участок сети сотовой связи, построенный по технологии LTE. Над созданием таких сетей работают Verizon, Bell и Telus. Ожидается, что к 2013 году сотовые операторы по всему миру вложат в оборудование с поддержкой LTE около 6 миллиардов евро.

Ученые-ядерщики предложили использовать плазму для производства чипов

Американские ученые-ядерщики предложили использовать технологии термоядерного синтеза для производства компьютерных чипов, пишет TG Daily. Ахмед Хассанейн (Ahmed Hassanein), руководитель отделения ядерной инженерии университета Пердью (Purdue University), Индиана, заявляет, что работающая под его руководством группа ученых нашла способ получать ультрафиолетовое излучение с длиной волны в 13,5 нанометра - EUV, "экстремальный ультрафиолет".

Размер отдельного элемента чипа ограничен физическими параметрами ультрафиолетового излучения, используемого в фотолитографии. В настоящее время в производстве чипов используется DUV, "глубокий ультрафиолет" - излучение с длиной волны в 193 нанометра.

Благодаря использованию глубокого ультрафиолета и технологии жидкостной иммерсионной литографии возможно производство чипов с размером элемента менее 50 нанометров. Но дальнейшее уменьшение длины волны ультрафиолетового излучения и размера получаемых транзисторов сталкивается с серьезными техническими и экономическими трудностями.

Исследователи из Индианы построили компьютерную модель, симулирующую получение плазмы путем нагревания ксенона, олова или лития лучом лазера либо электрическим током. Плазма излучает фотоны экстремального ультрафиолета, а благодаря способности плазмы проводить электрический ток ее формой можно управлять с помощью магнитных полей. По такому же принципу в экспериментальных установках управляемого термоядерного синтеза плазма удерживается от контакта с металлическими стенками реактора.

Затем контролируемые потоки экстремального ультрафиолетового излучения можно направлять в определенные места на кремниевой пластине, формируя таким образом элементы будущего чипа. Хассанейн утверждает, что данные компьютерной модели подтверждаются результатами проведенных его группой экспериментов, что доказывает правильность выбранного направления исследований.

Пока что основной трудностью, с которой столкнулись ученые, является крайне низкая энергоэффективность процесса - менее двух процентов используемой энергии превращается в плазму. Таким образом, для производства требуется мощность энергоустановки более 100 киловатт. По словам Хассанейна, это создает множество инженерных сложностей.

Сейчас ученые работают над повышением эффективности конверсии энергии в плазму.